a）使用環境應無劇烈震動和沖擊。
環境介質中不應有腐蝕性金屬，破壞絕緣材料的雜質和氣氛; b）模塊工作溫度：晶閘管-40°C~ + 125°C，整流器-40°C~ + 150°C（兩者結溫）環境相對濕度≤85％，海拔低于1000米; c）使用強制風冷時，模塊風速應為6 m / s，環境溫度-40°C~ + 40°C，水冷模塊水流量不小于4×103ml / min，進水溫度：-5°C~35°C; 1.短路電流保護; 2. RC吸收電路的過壓保護; 3.應滿足門觸發特性; 4.使用頻率5，溫度保護; 1，體積小2，外殼和電極絕緣3，可靠性高4，安裝方便（1）電力電子半導體模塊化：模塊化，根據原來的定義是放兩個以上功率半導體芯片是按照一定的連接電路結構，材料采用RTV，彈性硅膠，環氧樹脂等保護。
密封在絕緣外殼內，與導熱背板絕緣。
自從將模塊的原理引入電力電子領域以來，已經在各種內部電路中開發并生產了諸如雙向晶閘管，功率MOSFET和絕緣柵雙極晶閘管（IGBT）的功率半導體模塊。
加快發展。
隨著基于MOS結構的現代半導體器件的成功開發，器件芯片與控制電路，驅動電路，過壓，過流，過熱和欠壓保護電路以及自診斷電路相結合，并密封在同一絕緣外殼中。
稱為智能功率半導體模塊，即IPM。
為了提高整個系統的可靠性，它適用于電力電子的高頻，小型化和模塊化的發展。
在IPM的基礎上，增加了逆變器的一些功能，使得逆變器電路（IC）的所有組件以芯片形式封裝在一個模塊中，這成為用戶專用的電源模塊（ASPM）。
這種模塊更有利。
高頻。
為了將具有幾伏和幾毫安邏輯電平的集成電路IC與幾百伏和幾千伏的功率半導體器件集成以滿足電力工業的發展，已采用混合封裝方法來適應每個集成電力電子器件。
模塊（IPEM）。
（2）智能晶閘管模塊：智能晶閘管功率模塊（ITPM）是通過將晶閘管的主電路和相移觸發系統以及過流，過壓保護和傳感器封裝在塑料外殼中而制成的。
電路已經成為一個整體。
晶閘管是電流控制的功率半導體器件，其需要大的脈沖觸發功率來驅動晶閘管，并且模塊難以這樣做。
（3）IGBT智能模塊：20世紀80年代，成功開發出絕緣柵雙極晶體管IGBT器件。
由于IGBT器件具有電壓型驅動，低驅動功率，高開關速度，降低飽和電壓，并能承受高電壓，大電流等應用，并可由IC驅動和控制，然后開發成集成的IGBTA芯片。
快速二極管芯片，控制和驅動電路，過壓，過流，過溫和欠壓保護電路，箱式電路和自診斷電路都采用智能IGBT模塊（IPM）封裝在同一絕緣外殼中。
它為電力電子逆變器的高頻率，小型化，高可靠性和高性能創造了設備基礎。
（4）通信電源模塊：目前電源模塊中電力電子技術的發展趨勢是低電壓和大電流。
在次級整流電路中使用同步整流技術已成為一種有效且低損耗的方法。
由于功率MOSEFT具有低導通電阻并且可以提高電源效率，因此它已經應用于使用隔離降壓電路的DC / DC轉換器。
同步整流技術是通過控制功率MOSEFT的驅動電路來實現整流功能的技術。
通常，驅動頻率固定高達約200kHz。
閾值驅動可以通過交叉耦合或外部驅動的信號結合死區時間控制來實現。
同步整流技術不僅提高了功率效率，而且為通信電源模塊帶來了新的進步，使同步整流成為廣泛工業應用的主流電源技術。
