2020年10月20日，英國倫敦，美國圣克拉拉-領先的電池和電源管理，Wi-Fi，低功耗藍牙（BLE），工業邊緣計算解決方案提供商Dialog Semiconductor和世界領先的特殊工藝半導體代工廠GLOBALFOUNDRIES＆reg; （GLOBALFOUNDRIES＆reg;）今天宣布，已達成一項協議，將Dialog的導電橋RAM（CBRAM）技術從Dialog授予GLOBALFOUNDRIES。
這種基于電阻RAM（ReRAM）的技術由Adesto Technologies率先開發，該技術于2020年被Dialog Semiconductor收購。
;平臺，并計劃在將來將該技術擴展到其他平臺。
Dialog獨特且經過生產驗證的CBRAM技術是一種低功耗NVM解決方案，設計用于一系列應用，例如物聯網（IoT），5G連接性和人工智能（AI）。
低功耗，高讀寫速度，較低的制造成本以及對惡劣環境的耐受性使CBRAM特別適合于消費類，醫療以及特定的工業和汽車應用。
此外，CBRAM技術為這些市場中產品所需的先進技術節點提供了經濟高效的嵌入式NVM。
Dialog Semiconductor公司發展高級副總裁兼工業混合信號業務部門總經理Mark Tyndall表示：“ CBRAM是Adesto杰出的標志性存儲技術之一。
將此技術添加到Dialog的產品組合中具有重要的戰略意義。
Dialog和Adesto合并后，GLOBALFOUNDRIES的許可合作證明了業務發展的速度。
展望未來，我對我們與GF的牢固合作關系充滿信心。
該許可協議不僅為業界提供了最先進的技術，而且還為Dialog提供了在下一代片上系統（SoC）中采用高級CBRAM技術的機會。
GF汽車，工業和多市場業務部門高級副總裁兼總經理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作表明Core致力于在進一步為客戶提供差異化??優勢和增值領域中增加投資。
Dialog的ReRAM技術是對我們領先的eNVM解決方案系列的很好的補充。
該內存解決方案與我們的FDX平臺相結合，將幫助我們的客戶進一步突破技術界限，并提供新一代的安全IoT和邊緣AI應用程序”。
Dialog的CBRAM技術克服了ReRAM常見的集成和可靠性挑戰，提供了可靠且低成本的嵌入式存儲器，同時保持了低成本的ReRAM Voltage操作能力。
這意味著可以實現比標準嵌入式閃存低功耗的讀和寫操作。
到2022年，GF客戶可以在22FDX平臺上使用嵌入式NVM選件來使用CBRAM。
通過IP定制，客戶可以修改CBRAM單元以優化其SoC設計，提高安全性或調整單元以適應新的應用。
另外，CBRAM作為“后端處理”。
技術，可以相對容易地集成到其他技術節點中。
