將具有已知和可控特性的特種金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機平衡力對于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低 TCR、長期穩定性、無感抗、無 ESD 感應、低電容、快速熱穩定性和低噪聲等重要特性結合在一種電阻技術中。
這些功能有助于提高系統穩定性和可靠性，精度、穩定性和速度之間不必相互妥協。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內在“短板”進行修整。當需要按已知增量加大電阻時，可以切割標記的區域 （圖2），逐步少量提高電阻。
合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標準溫度系數，在0 °C 至 + 60 °C 范圍內為 ± 1 ppm/°C （Z 箔為0.05 ppm/°C） （圖3）。
采用平箔時，并聯電路設計可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uH.最大電容為 0.05 pF.1-kΩ 電阻設置時間在 100 MHZ以下小于 1 ns.上升時間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對于中間值僅略有下降。沒有振鈴噪聲對于高速切換電路是十分重要的，例如信號轉換。
100 MHZ 頻率下，1-kΩ 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對比可用以下公式表示：
交流電阻/直流電阻 = 1.001
金屬箔技術全面組合了高度理想的、過去達不到的電阻特性，包括低溫度系數（0 °C 至 + 60 °C 為 0.05 ppm/°C），誤差達到 ± 0.005 % （采用密封時低至 ± 0.001 %），負載壽命穩定性在 70 °C,額定加電2000小時的情況下達到 ± 0.005 % （50 ppm），電阻間一致性在 0 °C 至 + 60 °C 時為 0.1 ppm/°C,抗 ESD 高達 25 kV.
性能要求
當然并非每位設計師的電路都需要全部高性能參數。技術規格相當差的電阻同樣可以用于大量應用中，這方面的問題分為四類：
?。?） 現有應用可以利用大金屬箔電阻的全部性能升級。
?。?） 現有應用需要一個或多個，但并非全部“行業最佳”性能參數。
?。?） 先進的電路只有利用精密電阻改進的技術規格才能開發。
?。?） 有目的地提前計劃使用精密電阻滿足今后升級要求 （例如，利用電阻而不是有源器件保持電路精度，從而節省成本，否則僅僅為了略微提高性能則要顯著增加成本）。
例如，在第二 （2） 類情況下，一個參數必須根據所有參數的經濟性加以權衡。與采用全面優異性能的電阻相比，這樣可以節省成本，因為不需要調整電路 （及組裝相關組件的成本）。主要通過電阻而不是有源器件提高精度也可以節省成本，因為有源器件略微提高一點性能所需的成本要比電阻高的多。另一個問題是：“利用高性能電阻提高設備性能是否可以提高市場的市場占有率
